氧化铝薄膜是一(yi)种重要的(de)(de)(de)功能(neng)薄膜材料，由于(yu)具有较高的(de)(de)(de)介电(dian)常数、高热导(dao)率、抗(kang)(kang)辐照损(sun)伤能(neng)力强(qiang)、抗(kang)(kang)碱离(li)子渗透(tou)能(neng)力强(qiang)以及在很宽的(de)(de)(de)波(bo)长(zhang)范围内(nei)透(tou)明等诸多(duo)优异的(de)(de)(de)物理、化学性能(neng)，使其(qi)在微电(dian)子器(qi)件(jian)、电(dian)致发光器(qi)件(jian)、光波(bo)导(dao)器(qi)件(jian)以及抗(kang)(kang)腐蚀涂层等众(zhong)多(duo)领域(yu)有着广泛(fan)的(de)(de)(de)应(ying)(ying)用。下文一(yi)起来看(kan)看(kan)它的(de)(de)(de)应(ying)(ying)用案例及工艺(yi)手段都有哪(na)些。
一、应用案例
1、太能能电池(chi)背(bei)面(mian)钝化薄膜
PERC（PassivatedEmitterandRearCell），即钝化发射极和背面(mian)电池(chi)(chi)技术(shu)，最早在1983年由澳大利亚科学家MartinGreen提(ti)D出，目前正(zheng)在成(cheng)为太阳电池(chi)(chi)新一代的(de)常规技术(shu)，目前，PERC电池(chi)(chi)的(de)转换效率已达到20%。PERC技术(shu)是PERC电池(chi)(chi)的(de)核(he)心(xin)工艺，其(qi)工作(zuo)原理是通过(guo)电池(chi)(chi)背面(mian)添加的(de)电介质钝化层通过(guo)反射部(bu)分透过(guo)电池(chi)(chi)但未产生能量(liang)的(de)红光，以此(ci)提(ti)高(gao)转换效率。
图(tu)例：标准光伏电池(chi)与PERC电池(chi)
PERC电池背面钝化技(ji)术有多(duo)种实现方(fang)法，目前(qian)以(yi)使用(yong)氧化铝制作背面钝化薄膜为主(zhu)流(liu)方(fang)法。产业化沉(chen)积薄膜的(de)技(ji)术手(shou)段主(zhu)要有以(yi)Solaytec、韩(han)华新能源等厂商为代(dai)表的(de)原子层沉(chen)积（ALD）方(fang)式(shi)，及以(yi)瑞士MeyerBurger为代(dai)表的(de)板式(shi)（PECVD）沉(chen)积方(fang)式(shi)。
图(tu)例：安(an)装于美(mei)国德克萨(sa)斯(si)州发(fa)电(dian)站(zhan)的(de)韩华太阳能光伏组件
2、食品/药品/电子(zi)封装等(deng)高(gao)阻隔薄(bo)膜
当在有机薄膜表(biao)面沉积(ji)纳米级的(de)(de)(de)(de)(de)(de)无机物后(hou)，PVC中(zhong)邻苯类的(de)(de)(de)(de)(de)(de)增(zeng)塑(su)剂迁移(yi)量将由(you)基膜的(de)(de)(de)(de)(de)(de)16.2%下(xia)降到2.4%，低于(yu)欧(ou)盟3%的(de)(de)(de)(de)(de)(de)标准，食(shi)品(pin)安(an)全性(xing)大大提高。阻隔包装(zhuang)是指采用具有阻隔氧和水蒸汽(qi)渗透的(de)(de)(de)(de)(de)(de)材料对(dui)产品(pin)进行包装(zhuang)，以达到延(yan)长(zhang)食(shi)品(pin)、药(yao)品(pin)、化妆品(pin)和对(dui)环境敏感的(de)(de)(de)(de)(de)(de)物品(pin)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)保(bao)(bao)(bao)质期和货架寿命的(de)(de)(de)(de)(de)(de)目(mu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)，确保(bao)(bao)(bao)其在贮存、运输和商品(pin)分销(xiao)时保(bao)(bao)(bao)鲜、保(bao)(bao)(bao)味、保(bao)(bao)(bao)质和安(an)全。
第一(yi)代(dai)阻(zu)(zu)(zu)隔包装(zhuang)(zhuang)材(cai)(cai)料主要为有(you)机薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)(mo)，如(ru)PE、PP、PET、PVDC、PVC等(deng)(deng)。其使用(yong)方便(bian)、成(cheng)本(ben)低(di)、用(yong)量大，但(dan)是(shi)较(jiao)低(di)的阻(zu)(zu)(zu)隔性能使其应用(yong)范围受到限制。第二代(dai)阻(zu)(zu)(zu)隔包装(zhuang)(zhuang)材(cai)(cai)料采用(yong)铝(lv)箔或蒸镀薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)(mo)铝(lv)作为阻(zu)(zu)(zu)隔层。这类阻(zu)(zu)(zu)隔薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)(mo)的工艺相对简单，对空气(qi)、水分阻(zu)(zu)(zu)隔性也(ye)较(jiao)高，如(ru)在(zai)PET、BOPP等(deng)(deng)膜(mo)(mo)(mo)(mo)上(shang)(shang)镀3~5μm铝(lv)膜(mo)(mo)(mo)(mo),可使O2透过率(lv)(lv)下降10倍以上(shang)(shang),水蒸汽透过率(lv)(lv)下降6~8倍。第三代(dai)阻(zu)(zu)(zu)隔包装(zhuang)(zhuang)材(cai)(cai)料，即在(zai)有(you)机薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)(mo)表(biao)面蒸镀或化(hua)(hua)学气(qi)相沉(chen)积氧化(hua)(hua)物高阻(zu)(zu)(zu)隔薄(bo)膜(mo)(mo)(mo)(mo)。
镀氧化硅和镀氧化铝薄膜透明(ming)性好，阻(zu)氧、阻(zu)湿等性能非常优(you)秀(xiu)，但由于设(she)备投资极其昂贵，加(jia)之加(jia)工技术(shu)难度很高(gao)，故产品成(cheng)本极高(gao)。
产品案例：
图例(li)：Barrialox™是一种无色(se)透(tou)明的阻隔膜，通(tong)过在PET薄膜上沉(chen)积(ji)氧(yang)化铝制成，可(ke)有(you)效(xiao)阻挡氧(yang)气和水蒸气。用于各(ge)种应用，例(li)如蒸煮袋(dai)；非导电（适用于微波(bo)和金属探测器(qi)）；非导电（适用于微波(bo)和金属探测器(qi)）（来源：TORAYAdvancedFILM）
3、机械领域中的应用
氧(yang)化(hua)(hua)铝(lv)薄膜机械(xie)强度(du)高、硬(ying)度(du)高（莫(mo)式硬(ying)度(du)9）、耐(nai)磨(mo)、抗蚀、高温稳定性好、化(hua)(hua)学惰性强被(bei)广(guang)泛应用(yong)于工(gong)模具(ju)和机械(xie)零件(jian)(jian)得到(dao)广(guang)泛应用(yong)。磨(mo)损(sun)是(shi)机械(xie)系统失效的主要原因之一，通(tong)过在零件(jian)(jian)表面涂上耐(nai)磨(mo)的氧(yang)化(hua)(hua)铝(lv)陶(tao)瓷涂层可以让零件(jian)(jian)具(ju)有优秀的抗磨(mo)损(sun)能力。
汽车发动机(ji)活塞的磨(mo)损比较严重(zhong)，需要经(jing)常更换，既不(bu)方便(bian)又不(bu)经(jing)济。将活塞环槽上镀上一层陶瓷膜，使之耐磨(mo)性得到(dao)提高，从而(er)延长使用寿命。这种(zhong)方法应(ying)用于(yu)重(zhong)载(zai)柴油(you)机(ji)活塞上将更有实际(ji)意(yi)义。
具有各种类(lei)型氧化铝涂层，例如纯κ-Al2O3、κ-和α-Al2O3的(de)(de)混合物以(yi)及极粗粒(li)化的(de)(de)α-Al2O3涂层的(de)(de)硬质(zhi)合金切(qie)削(xue)刀具已以(yi)工业规模(mo)生产许多年。
氧化(hua)铝薄膜的(de)氢(qing)气渗透率极低(di)，镀于在氢(qing)气环境中工作的(de)设(she)备表面，可有效(xiao)防(fang)止氢(qing)脆(cui)现象(xiang)的(de)发生。
其他
杜邦公司(si)(DuPont)采用(yong)(yong)ALD（原子(zi)层沉积法）制备厚度25nm的(de)氧化铝薄(bo)膜(mo)作(zuo)为(wei)有(you)机电致发(fa)光二极管(OLED)的(de)气体(ti)扩(kuo)散阻隔层，大(da)大(da)地提(ti)高了OLED的(de)发(fa)光寿(shou)命；美国Corning公司(si)在DLP显示芯片DMD的(de)封装中采用(yong)(yong)ALD的(de)氧化铝薄(bo)膜(mo)作(zuo)为(wei)密封层等；氧化铝薄(bo)膜(mo)因其(qi)折(zhe)射率低，透(tou)光范围宽，是一种常用(yong)(yong)的(de)增(zeng)透(tou)薄(bo)膜(mo)材料；和(he)其(qi)他(ta)薄(bo)膜(mo)材料组成的(de)红外(wai)(wai)反射膜(mo)系可以透(tou)过可见光，反射红外(wai)(wai)光，对人体(ti)能(neng)起到保护(hu)作(zuo)用(yong)(yong)，广泛用(yong)(yong)于汽车及(ji)建筑物的(de)玻璃表面；氧化铝薄(bo)膜(mo)作(zuo)为(wei)一种宽禁带发(fa)光材料，发(fa)光范围较(jiao)大(da)，可实现平板(ban)显示的(de)全色显示，在平板(ban)显示中具有(you)广阔的(de)应用(yong)(yong)前(qian)景。
二、工艺(yi)手段
氧化(hua)铝薄膜的制备(bei)方法有很多种，如：磁控溅射、离子束辅(fu)助沉(chen)(chen)积(ji)（IBAD)、脉冲激光(guang)沉(chen)(chen)积(ji)（PLD)、电子束物(wu)理气(qi)相沉(chen)(chen)积(ji)、化(hua)学气(qi)相沉(chen)(chen)积(ji)（CVD)、原子层沉(chen)(chen)积(ji)（ALD)和(he)溶(rong)胶-凝胶(Sol-Gel)等。
1、物理气相(xiang)沉积
A、磁(ci)控(kong)溅射沉积(ji)
磁(ci)控溅(jian)(jian)射(she)(she)具(ju)有溅(jian)(jian)射(she)(she)镀膜(mo)速度快，膜(mo)层(ceng)致密，附着性好等特点，很适合(he)于大批量，高效(xiao)率(lv)工业生产(chan)等显著(zhu)优点应(ying)用(yong)日趋广泛，成为工业镀膜(mo)生产(chan)中最(zui)主要(yao)的(de)(de)(de)技术之一。溅(jian)(jian)射(she)(she)镀膜(mo)的(de)(de)(de)原理是(shi)稀薄气(qi)体(ti)在(zai)(zai)(zai)异常(chang)辉光放电产(chan)生的(de)(de)(de)等离(li)(li)子(zi)(zi)(zi)体(ti)在(zai)(zai)(zai)电场的(de)(de)(de)作用(yong)下，对(dui)阴(yin)极靶材(cai)表(biao)面(mian)进(jin)行轰击，把靶材(cai)表(biao)面(mian)的(de)(de)(de)分(fen)子(zi)(zi)(zi)、原子(zi)(zi)(zi)、离(li)(li)子(zi)(zi)(zi)及电子(zi)(zi)(zi)等溅(jian)(jian)射(she)(she)出(chu)(chu)来(lai)，被溅(jian)(jian)射(she)(she)出(chu)(chu)来(lai)的(de)(de)(de)粒(li)子(zi)(zi)(zi)带有一定(ding)的(de)(de)(de)动能，沿一定(ding)的(de)(de)(de)方向(xiang)射(she)(she)向(xiang)基(ji)体(ti)表(biao)面(mian)，在(zai)(zai)(zai)基(ji)体(ti)表(biao)面(mian)形成镀层(ceng)。用(yong)这种技术制备氧(yang)化(hua)铝(lv)(lv)膜(mo)时一般都以纯铝(lv)(lv)为靶材(cai)，溅(jian)(jian)射(she)(she)用(yong)的(de)(de)(de)惰性气(qi)体(ti)通常(chang)选(xuan)择(ze)氩(ya)气(qi)(Ar)，因为它(ta)的(de)(de)(de)溅(jian)(jian)射(she)(she)率(lv)最(zui)高。用(yong)氩(ya)离(li)(li)子(zi)(zi)(zi)轰击铝(lv)(lv)靶并(bing)通入氧(yang)气(qi)，溅(jian)(jian)射(she)(she)出(chu)(chu)的(de)(de)(de)铝(lv)(lv)离(li)(li)子(zi)(zi)(zi)和电离(li)(li)得到的(de)(de)(de)氧(yang)离(li)(li)子(zi)(zi)(zi)沉(chen)积到基(ji)片上从而得到氧(yang)化(hua)铝(lv)(lv)膜(mo)。
按(an)磁(ci)(ci)控(kong)(kong)(kong)溅(jian)(jian)射(she)(she)(she)(she)中使(shi)用(yong)的(de)(de)离(li)子(zi)源不同，磁(ci)(ci)控(kong)(kong)(kong)溅(jian)(jian)射(she)(she)(she)(she)方(fang)法(fa)有(you)以下(xia)几种：①直流反应磁(ci)(ci)控(kong)(kong)(kong)溅(jian)(jian)射(she)(she)(she)(she)；②脉冲磁(ci)(ci)控(kong)(kong)(kong)溅(jian)(jian)射(she)(she)(she)(she)；③射(she)(she)(she)(she)频磁(ci)(ci)控(kong)(kong)(kong)溅(jian)(jian)射(she)(she)(she)(she)；④微波-ECR等(deng)离(li)子(zi)体(ti)增强磁(ci)(ci)控(kong)(kong)(kong)溅(jian)(jian)射(she)(she)(she)(she)；⑤交流反应磁(ci)(ci)控(kong)(kong)(kong)溅(jian)(jian)射(she)(she)(she)(she)等(deng)。目前国际(ji)上最广(guang)泛(fan)使(shi)用(yong)的(de)(de)是(shi)脉冲非平衡磁(ci)(ci)控(kong)(kong)(kong)溅(jian)(jian)射(she)(she)(she)(she)方(fang)法(fa)，这主要(yao)是(shi)因为传统(tong)(tong)磁(ci)(ci)控(kong)(kong)(kong)系(xi)统(tong)(tong)中存在制备大面积、多(duo)组分、致密、高质量薄(bo)膜的(de)(de)困难问(wen)题，而利用(yong)非平衡磁(ci)(ci)控(kong)(kong)(kong)系(xi)统(tong)(tong)就可有(you)效解(jie)决此问(wen)题。
B、真空蒸(zheng)发沉积
真空蒸(zheng)发法是最简(jian)单的一种(zhong)物理气相沉积(ji)方(fang)法，可在(zai)各种(zhong)基底(di)上沉积(ji)氧(yang)(yang)化(hua)铝(lv)薄膜，蒸(zheng)发材料为氧(yang)(yang)化(hua)铝(lv)化(hua)合物。用(yong)(yong)一定能量的电子(zi)束轰击(ji)（或采(cai)用(yong)(yong)高频磁(ci)场(chang)加(jia)热或激(ji)光束聚焦）氧(yang)(yang)化(hua)铝(lv)陶瓷使其气化(hua)，在(zai)衬底(di)表面凝(ning)结成膜。真空蒸(zheng)发方(fang)法简(jian)单便利、易于操(cao)作(zuo)、成膜速度快、效(xiao)率高，但形成的薄膜与基底(di)结合较差(cha)，工(gong)艺重复(fu)性(xing)不(bu)佳。
C、脉冲激光沉积(PLD)
PLD是将准分(fen)子脉冲激光(guang)器所(suo)产生的高功率(lv)脉冲激光(guang)束聚(ju)焦作用于铝(lv)靶表(biao)面，使铝(lv)靶表(biao)面产生高温及(ji)熔(rong)蚀，并(bing)(bing)进一(yi)步产生高温高压等离(li)(li)子体(ti)，这种等离(li)(li)子体(ti)定向(xiang)局域膨(peng)胀发(fa)射并(bing)(bing)在(zai)衬底上沉积而形成氧化铝(lv)薄膜。脉冲激光(guang)沉积技(ji)术具有很(hen)多优点(dian)，主要包括(kuo)沉积速率(lv)高、过程(cheng)容易(yi)控制等，但该方(fang)法(fa)也存在(zai)沉积过程(cheng)能量高、沉积面积小等缺点(dian)
D、微(wei)弧氧化(hua)沉积
微弧氧(yang)化(hua)又称为等离子体氧(yang)化(hua)或阳极(ji)火化(hua)沉积，它不同于普通的(de)(de)(de)阳极(ji)氧(yang)化(hua)，而是一种(zhong)在Al、Mg、Ti、Zr等有色(se)金属(shu)表面(mian)上(shang)，于非法拉第区进行火化(hua)放电，原位(wei)生长陶瓷(ci)氧(yang)化(hua)膜的(de)(de)(de)新技术。放电瞬(shun)间高(gao)温(wen)可达8000K以(yi)上(shang)，生成一种(zhong)性能类似于烧结碳(tan)化(hua)物的(de)(de)(de)氧(yang)化(hua)铝陶瓷(ci)膜。这种(zhong)方法的(de)(de)(de)特点(dian)是膜的(de)(de)(de)耐(nai)磨性好，但(dan)膜表面(mian)粗糙(cao)。
E、电子束物(wu)理气相沉积
将氧化铝(lv)细粉与粗粉按一定比例(li)混(hun)合制(zhi)成氧化铝(lv)陶(tao)瓷棒(bang)，作为蒸(zheng)发源。用一定能(neng)量的(de)电子束轰击氧化铝(lv)陶(tao)瓷棒(bang)使其蒸(zheng)发，在(zai)衬底上沉积得(de)到氧化铝(lv)膜(mo)。这种方法严格(ge)控(kong)制(zhi)的(de)工艺参数较少，操作和控(kong)膜(mo)生长相对(dui)容(rong)易(yi)，制(zhi)备的(de)薄膜(mo)不(bu)会产生很(hen)多不(bu)可(ke)控(kong)杂(za)质(zhi)，适(shi)合制(zhi)备热阻(zu)挡层(ceng)。
2、化学气相沉积(ji)
A、等离子体(ti)增强化学气(qi)相沉积PECVD
等(deng)离子(zi)体增强化学气相沉积(PECVD)技术是利(li)用低(di)温(wen)等(deng)离子(zi)体作(zuo)能量源，衬底(di)置于低(di)气压(ya)下辉光(guang)放(fang)电的阴极上，利(li)用辉光(guang)放(fang)电(或加发热体)使衬底(di)升(sheng)温(wen)到(dao)预设的温(wen)度，然后(hou)通入适量的反(fan)应(ying)(ying)气体，经一(yi)系列化学反(fan)应(ying)(ying)和等(deng)离子(zi)体反(fan)应(ying)(ying)，在衬底(di)表面形成固态薄膜。
氧化(hua)铝薄膜的制(zhi)(zhi)备(bei)是将携带有(you)铝的化(hua)合(he)物(wu)的氩气与反(fan)应气体氧气混合(he)进入(ru)反(fan)应室，借(jie)助(zhu)等(deng)离子体的能(neng)(neng)量(liang)发生(sheng)化(hua)学反(fan)应或等(deng)离子体反(fan)应沉积(ji)(ji)生(sheng)成(cheng)薄膜。PECVD与其它CVD方法区(qu)别在于等(deng)离子体中含有(you)大(da)量(liang)高能(neng)(neng)量(liang)的电子，可以(yi)提供过程所需的激活(huo)能(neng)(neng)，电子与分子的碰撞可以(yi)促进气体分子的分解、化(hua)合(he)、激发和电离，生(sheng)成(cheng)活(huo)性很(hen)高的各种化(hua)学基团(tuan)，显著降(jiang)低薄膜沉积(ji)(ji)所需的温度。PECVD法可在低温下稳定(ding)连续地成(cheng)膜，热损失(shi)小(xiao)，抑制(zhi)(zhi)了与基片物(wu)质的反(fan)应。
B、液体源化学气(qi)相沉积
这(zhei)种(zhong)技术是指将含(han)铝(lv)的(de)有(you)机金属(shu)物溶解在有(you)机溶剂(ji)中作(zuo)为液体(ti)源(yuan)，然(ran)后将这(zhei)种(zhong)源(yuan)用超声(sheng)波(bo)喷射以气(qi)雾剂(ji)的(de)形式或溶滴注入的(de)形式引入到反应室中进行沉积得到氧化(hua)铝(lv)膜。第一种(zhong)形式适合沉积用于磁存储和气(qi)体(ti)传感器上的(de)膜，后者适合沉积电介(jie)质膜.
C、金(jin)属有机物化学(xue)气(qi)相沉积
MOCVD基(ji)本原理(li)是采用Ⅲ、Ⅱ族(zu)元素(su)(su)的(de)(de)有机化合(he)物和Ⅴ、Ⅵ族(zu)元素(su)(su)的(de)(de)氢化物等作为(wei)生长源材(cai)料以热分(fen)解反应在衬底(di)上进行气相外延(yan)生长族(zu)化合(he)物半导体以及它们(men)的(de)(de)多元固(gu)溶(rong)体的(de)(de)薄层单层。
MOCVD方(fang)法制(zhi)备氧(yang)(yang)化(hua)(hua)铝薄膜是(shi)将铝的(de)金属有机物(wu)气(qi)化(hua)(hua)后利(li)用(yong)载气(qi)（一般为氩气(qi)）通入反应室(shi)和(he)氧(yang)(yang)气(qi)发生(sheng)化(hua)(hua)学反应，反应的(de)生(sheng)成(cheng)物(wu)沉积(ji)到衬底上从而(er)形成(cheng)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)铝薄膜。目前用(yong)于制(zhi)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)铝薄膜的(de)MOCVD方(fang)法主(zhu)要有3种：低(di)压MOCVD、等离子体(ti)增(zeng)强(qiang)MOCVD和(he)光辅(fu)助MOCVD。
MOCVD方法的(de)(de)优点(dian)是：可(ke)以合(he)成组(zu)分按任(ren)意比例组(zu)成的(de)(de)人(ren)工合(he)成材料，沉积(ji)速(su)率高，均(jun)匀性(xing)好(hao)，重复性(xing)好(hao)，沉积(ji)温(wen)度低，所(suo)有工艺参(can)数都(dou)可(ke)独立控制；缺点(dian)是存在原材料的(de)(de)纯度、稳(wen)定(ding)性(xing)及毒(du)性(xing)问题(ti)。
3、溶(rong)胶(jiao)-凝胶法
溶(rong)胶(jiao)(jiao)-凝(ning)(ning)胶(jiao)(jiao)法（Sol-Gel）的(de)基本原理是将金属醇盐或(huo)(huo)(huo)无机化(hua)(hua)(hua)合(he)物溶(rong)于(yu)溶(rong)剂中形(xing)成(cheng)(cheng)均匀的(de)溶(rong)液，溶(rong)质与溶(rong)剂产(chan)生(sheng)水(shui)解或(huo)(huo)(huo)醇解反应，反应生(sheng)成(cheng)(cheng)物聚集成(cheng)(cheng)几个纳(na)米左右的(de)粒子并形(xing)成(cheng)(cheng)溶(rong)胶(jiao)(jiao)，进行涂膜(mo)(mo)处理，经凝(ning)(ning)胶(jiao)(jiao)化(hua)(hua)(hua)及(ji)干燥处理后得到干凝(ning)(ning)胶(jiao)(jiao)膜(mo)(mo)，再经热(re)处理生(sheng)成(cheng)(cheng)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)物或(huo)(huo)(huo)其(qi)它化(hua)(hua)(hua)合(he)物固体的(de)方法。利(li)用溶(rong)胶(jiao)(jiao)-凝(ning)(ning)胶(jiao)(jiao)法（Sol-Gel）制(zhi)备氧(yang)化(hua)(hua)(hua)铝薄膜(mo)(mo)时，通(tong)常(chang)以铝醇盐为(wei)(wei)先驱物，水(shui)为(wei)(wei)溶(rong)剂，硝酸（或(huo)(huo)(huo)盐酸）为(wei)(wei)胶(jiao)(jiao)溶(rong)剂。
溶胶凝胶法(fa)制备薄膜(mo)(mo)的方法(fa)有(you)：浸渍法(fa)；旋覆法(fa)；喷涂法(fa)和(he)简(jian)单刷涂法(fa)等。溶胶凝胶法(fa)的优(you)点(dian)是(shi)工艺设备简(jian)单，可(ke)以大面积在(zai)各种不同形状、不同材(cai)料的基底上制备薄膜(mo)(mo)，可(ke)有(you)效(xiao)控制薄膜(mo)(mo)成分及(ji)微观结(jie)构(gou)。缺(que)点(dian)是(shi)制得的薄膜(mo)(mo)与基体结(jie)合力差(cha)，成本(ben)相对较(jiao)高(gao)，制备过程时间较(jiao)长。
4、原子(zi)层沉积(ALD)
原子层沉积(Atomiclayerdeposition，ALD)，又称原子层外延方法，最初是由芬兰(lan)科学家提(ti)出并用于多晶荧光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的(de)研制，这些(xie)材料是用于平(ping)板显示器。原子层沉积(ji)(ji)技术(shu)由于其沉积(ji)(ji)参数（厚(hou)度(du)，成份和(he)结构）的(de)高度(du)可控性，优异的(de)沉积(ji)(ji)均(jun)匀性和(he)一致(zhi)性等(deng)特点，使得其在光学与光电子薄膜领域(yu)具有广泛的(de)应用潜力，最近几年引(yin)起了(le)高度(du)关注(zhu)。
原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)层(ceng)(ceng)沉(chen)积(ji)(ji)(ji)(ji)是一种可(ke)以将物(wu)质(zhi)以单原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)膜形式(shi)一层(ceng)(ceng)一层(ceng)(ceng)的(de)(de)镀在基底表(biao)面的(de)(de)方法。原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)层(ceng)(ceng)沉(chen)积(ji)(ji)(ji)(ji)ALD与(yu)普通的(de)(de)化(hua)学沉(chen)积(ji)(ji)(ji)(ji)CVD有相(xiang)似之(zhi)处。但在原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)层(ceng)(ceng)沉(chen)积(ji)(ji)(ji)(ji)过程中，新(xin)一层(ceng)(ceng)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)膜的(de)(de)化(hua)学反(fan)应是直接与(yu)之(zhi)前(qian)一层(ceng)(ceng)相(xiang)关(guan)联的(de)(de)，这种方式(shi)使每次反(fan)应只沉(chen)积(ji)(ji)(ji)(ji)一层(ceng)(ceng)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)，单原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)层(ceng)(ceng)沉(chen)积(ji)(ji)(ji)(ji)，又(you)称原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)层(ceng)(ceng)沉(chen)积(ji)(ji)(ji)(ji)或原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)层(ceng)(ceng)外延(yan)。
ALD技术与CVD技术对比
由(you)于(yu)具(ju)(ju)有(you)(you)这些沉(chen)积特(te)性(xing)，原(yuan)子(zi)(zi)层(ceng)沉(chen)积技(ji)术(shu)具(ju)(ju)有(you)(you)沉(chen)积大面积均匀薄膜，膜厚(hou)纳(na)米级可控生长，低温条件沉(chen)积，适合各种复杂基底（如高深宽(kuan)比(bi)的(de)结构(gou)）的(de)优异性(xing)能。这些独特(te)的(de)优势使(shi)原(yuan)子(zi)(zi)层(ceng)沉(chen)积技(ji)术(shu)在大规模集(ji)成电(dian)路、新型能源、催化剂(ji)，储能材(cai)料等方(fang)面均有(you)(you)着重要的(de)应用前景(jing)。
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