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鄒小姐(jie)：13326633089 -
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2020 CAC廣州國際先(xian)進陶瓷展(zhan)覽會(hui)
什么是IGBT？
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型(xing)晶體管，是由BJT（雙極型(xing)三極管）和MOS（絕緣柵型(xing)效應管）組(zu)成的復合全控(kong)型(xing)電壓驅動(dong)式功(gong)率半(ban)導體器件, 驅動(dong)功(gong)率小(xiao)而飽和壓降低。非(fei)常適合(he)應用于直流(liu)電壓(ya)為(wei)600V及以上的(de)變(bian)流(liu)系統如(ru)交流(liu)電機、變(bian)頻(pin)器(qi)、開(kai)關電源(yuan)、照明電路(lu)、牽(qian)引(yin)傳(chuan)動等(deng)領(ling)域。IGBT是能(neng)源(yuan)變(bian)換與傳(chuan)輸的(de)核心器(qi)件，俗稱電力(li)電子裝置的(de)“CPU”，作為(wei)國家戰略性新興產業(ye)，在家用電器(qi)、軌道交通、智能(neng)電網、航(hang)空(kong)航(hang)天、電動汽車與新能(neng)源(yuan)裝備等(deng)領(ling)域應用極廣。
先進陶瓷在IGBT中有什么應用？
隨著新能源(yuan)汽車、高鐵、風力發(fa)電(dian)(dian)和5G基(ji)站(zhan)的(de)(de)(de)快速發(fa)展，這些新產(chan)業所用的(de)(de)(de)大(da)功(gong)率IGBT對新一代高強度的(de)(de)(de)氮(dan)化鋁陶(tao)瓷基(ji)板(ban)需求巨(ju)大(da)。高壓大(da)功(gong)率IGBT模塊所產(chan)生的(de)(de)(de)熱(re)量主要是通過(guo)陶(tao)瓷覆(fu)銅板(ban)傳導到外殼而散(san)發(fa)出去的(de)(de)(de)，因(yin)此(ci)陶(tao)瓷覆(fu)銅板(ban)是電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子(zi)領(ling)域功(gong)率模塊封裝的(de)(de)(de)不(bu)可或缺的(de)(de)(de)關鍵基(ji)礎材料(liao)。
目前，已應用作(zuo)為陶(tao)瓷(ci)(ci)覆銅板(ban)(ban)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)材料(liao)共有三種(zhong)陶(tao)瓷(ci)(ci)，分別是氧(yang)(yang)化(hua)(hua)鋁(lv)陶(tao)瓷(ci)(ci)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)、氮(dan)(dan)化(hua)(hua)鋁(lv)陶(tao)瓷(ci)(ci)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)和氮(dan)(dan)化(hua)(hua)硅陶(tao)瓷(ci)(ci)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)。氧(yang)(yang)化(hua)(hua)鋁(lv)基(ji)(ji)(ji)陶(tao)瓷(ci)(ci)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)是最(zui)常(chang)用的(de)陶(tao)瓷(ci)(ci)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)，它具(ju)有好的(de)絕緣(yuan)性、化(hua)(hua)學(xue)穩定性、力學(xue)性能和低(di)的(de)價格，但(dan)由于氧(yang)(yang)化(hua)(hua)鋁(lv)陶(tao)瓷(ci)(ci)基(ji)(ji)(ji)片相對低(di)的(de)熱(re)導率、與硅的(de)熱(re)膨脹系數(shu)匹(pi)配不(bu)(bu)好，并不(bu)(bu)適合作(zuo)為高(gao)功率模(mo)塊(kuai)封裝材料(liao)。而氮(dan)(dan)化(hua)(hua)鋁(lv)陶(tao)瓷(ci)(ci)基(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)在熱(re)特(te)性方面具(ju)有非常(chang)高(gao)的(de)熱(re)導率，散熱(re)快(kuai)；在應力方面，熱(re)膨脹系數(shu)與硅接近，整個(ge)模(mo)塊(kuai)內(nei)部應力較低(di)，提高(gao)了高(gao)壓IGBT模(mo)塊(kuai)的(de)可靠性。這些優異的(de)性能都使得氮(dan)(dan)化(hua)(hua)鋁(lv)覆銅板(ban)(ban)成(cheng)為高(gao)壓IGBT模(mo)塊(kuai)封裝的(de)首選(xuan)。
氮化鋁陶瓷覆銅板的優點？
氮化鋁陶瓷覆(fu)銅板既具有陶瓷的高導(dao)熱性(xing)(xing)、高電(dian)絕緣(yuan)性(xing)(xing)、高機械強度、低膨(peng)脹等特性(xing)(xing)，又具有無氧銅的高導(dao)電(dian)性(xing)(xing)和優異(yi)的焊接性能(neng)，是IGBT模塊封裝的關鍵(jian)基礎材料(liao)。
氮化鋁陶瓷覆(fu)銅板(ban)集合了功率電子封裝材(cai)料所具有的各種(zhong)優(you)點：
1)陶瓷部(bu)分具有(you)優良的導熱耐壓特(te)性;
2)銅(tong)導體部分具(ju)有極高的載(zai)流能力;
3)金屬和(he)陶瓷(ci)間具有較高的(de)附著(zhu)強度(du)和(he)可靠性;
4)便(bian)于(yu)刻蝕(shi)圖形，形成電路基板;
5)焊接性能優良，適用于鋁絲鍵(jian)合。
2020 CAC廣(guang)州(zhou)國際先進陶(tao)瓷組委會 整理
